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KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振

頻率：12~64MHZ

尺寸：2.5*2.0*0.75mm

貼片石英晶振,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27876201

日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

日本大真空株式會社KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術更新從未間斷.

KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型(2.5×2.0×0.5mmtyp.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除石英晶體諧振器在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振

KDS晶振規(guī)格	單位	DSX221G工業(yè)級晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12.00MHZ~64.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C～+105°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +105°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.http://www.yancaiwang.com.cn
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規(guī)格	單位	DSX221G晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12.00MHZ~64.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C～+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.http://www.yancaiwang.com.cn
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振

日本大真空晶振所有產(chǎn)品的共同點

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2:輻射

將石英晶體振蕩器暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3:化學制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振

4:粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.KDS晶振環(huán)保方針:

●符合法律法規(guī)的要求

日本大真空株式會社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件,壓電石英晶體,有源晶體,壓電陶瓷諧振器,大真空集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.

日本大真空株式會社KDS晶振將:

通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.

有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關環(huán)境保護的法律,標準,協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.

根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振

DSX221G晶振 1ZCA12000BA0A晶振貼片兩腳陶瓷面晶振

采購：KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振

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