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CTS的突破創(chuàng)新型小封裝高質(zhì)量的石英晶體諧振器,很適合用于通信設(shè)備領(lǐng)域416F260X3AKR

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 瀏覽：- 發(fā)布日期：2022-06-27 13:38:06【大 中 小】
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CTS的突破創(chuàng)新型小封裝高質(zhì)量的石英晶體諧振器,很適合用于通信設(shè)備領(lǐng)域416F260X3AKR，密封性試驗(yàn)確定包內(nèi)是否存在任何泄漏。通常指定兩個(gè)測(cè)試:粗漏和細(xì)漏。大多數(shù)水晶包都應(yīng)該通過(guò)這兩種方法。總泄漏測(cè)試涉及有些氣泡通過(guò)將晶體浸入液體腔來(lái)抑制。精細(xì)泄漏測(cè)試系統(tǒng)使用氦作為示蹤氣體和氦探測(cè)器。可以檢測(cè)到低至1x10-9cc/秒的水平。大多數(shù)無(wú)源晶體規(guī)格為1x10-8cc/秒。良好的密封性將確保良好的老化水晶的生命。

416F27113AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
416F27113ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
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416F27113CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
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可焊性試驗(yàn)確定焊料對(duì)鉛或晶片的潤(rùn)濕性。在使用較弱助焊劑或不清潔的大批量生產(chǎn)中，良好的可焊性是必要的工序減少對(duì)板洗的需要。蒸汽老化是一種用于驗(yàn)證的試驗(yàn)方法隨著時(shí)間的推移，可獲得良好的可焊性性能。這種預(yù)條件作用使引線具有蒸汽可焊性測(cè)試前可幫助刺激長(zhǎng)達(dá)6個(gè)月的保質(zhì)期。這可能是對(duì)您的應(yīng)用程序很重要。如果你在收到水晶后迅速使用，蒸汽測(cè)試可能不需要。通過(guò)指定MIL-STD-202，方法208，需要蒸汽預(yù)處理。要求這個(gè)測(cè)試對(duì)您的晶體可能會(huì)略有影響的價(jià)格，所以它可能是您的優(yōu)勢(shì)，考慮您的應(yīng)用程序之前指定蒸汽預(yù)處理。CTS的突破創(chuàng)新型小封裝高質(zhì)量的石英晶體諧振器,很適合用于通信設(shè)備領(lǐng)域416F260X3AKR
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活動(dòng)下降

一種不需要的晶體特性，它表現(xiàn)為無(wú)源晶體電阻和共振頻率的突然變化，隨后又同樣突然地恢復(fù)到先前的值。活度下降受到晶體驅(qū)動(dòng)電平和負(fù)載電容的強(qiáng)烈影響。

416F271XXATR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
416F271XXCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
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老化

由于石英晶體諧振腔內(nèi)部的變化而引起的頻率隨時(shí)間的系統(tǒng)變化。老化常以每年百萬(wàn)分之一的最大值來(lái)表示[ppm/年]。衰老的速度在本質(zhì)上是對(duì)數(shù)的。影響晶體老化的因素有:諧振腔表面的污染物吸附和解吸，安裝和連接結(jié)構(gòu)的應(yīng)力消除，材料放氣，以及密封完整性。

416F30025CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30025CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F30033AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F30035ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30035CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F30035CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F30035CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F300X3CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300X3CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300X3CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300X3CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300X3CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXADR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
諧振腔空白被切出的角度[以度、分、秒指定]相對(duì)于主晶體軸的石英材料。切割角度是一個(gè)主要因素控制壓電石英晶體單元的頻率與溫度性能。

AT切割晶體單元

對(duì)一種特定類型的石英晶體切割的分類。AT剪是最受歡迎的剪法在MHz范圍內(nèi)的晶體單元今天制造的類型。AT Cut是一種厚度-剪切體聲波[BAW]晶體單元，在室溫附近具有三次頻率隨溫度變化的拐點(diǎn)曲線。它因其優(yōu)良的溫度頻率特性而廣受歡迎。

416F300XXALR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXASR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXATR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCSR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCTR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F32011AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32011CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XCSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F3201XCTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32022CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
基地

底座通常被稱為支架或表頭，是石英晶體單元包的子組件。

空白

一種半加工的石英晶體諧振器，通常沒(méi)有電極鍍層及其支架或底座。

416F32025AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
BT切割晶體裝置

對(duì)一種特定類型的石英晶體切割的分類。BT切割以與at切割近似相反的角度加工，被歸類為厚度剪切晶體單元拋物線型頻率隨溫度變化曲線，其拐點(diǎn)在室溫附近。因此，在給定的工作溫度范圍內(nèi)，BT切割晶體將表現(xiàn)出更高的頻率shift比AT切割晶體。

416

快速通道
pass + 快速通道