頻率:16.000MHz~60.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.5mm
愛普生晶振,貼片晶振,FA-238晶振,Q22FA23800063晶振
| 制造商 | 愛普生 | 產(chǎn)地 | 日本 | 產(chǎn)品編碼 |
Q22FA1280004500 |
| 頻率 |
24.576000MHz |
負載 |
20pF |
溫度范圍 | -20℃~+70℃ |
| 頻率偏差 |
±30ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 3.2×2.5×0.7mm |
|
愛普生晶振規(guī)格 |
單位 |
FA-238晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
16.000MHz~60.000MHz |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
7~20PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射.
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(
如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體振蕩器,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關聯(lián)產(chǎn)品;并且構筑和革新既可以降低環(huán)境負荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.
愛普生晶振集團將建立可行的技術及經(jīng)濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.
愛普生晶振集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
精工愛普生晶振集團將在各領域內(nèi)的商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術來生產(chǎn),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術、材料和產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
愛普生晶振公司的目標是保證石英晶體振蕩器繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進.
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