格耶品牌SMD晶振如何構(gòu)建振蕩電路?成立至1964年的格耶電子，憑借著自身的努力，一直是頻率產(chǎn)品的領(lǐng)先制造商之一，壓電石英晶體,振蕩器和陶瓷諧振器.我們從我們的德國(guó)總部以及歐洲、亞洲和美國(guó)的其他地方。我們非常重視與客戶的密切合作從開發(fā)階段開始。這確保了我們從一開始就提供您所需要的東西。

我們將在整個(gè)項(xiàng)目中為您提供專業(yè)的設(shè)計(jì)支持。我們的全球服務(wù)包括個(gè)人咨詢和保證電路的驗(yàn)證交付您從我們這里購(gòu)買的組件。
我們的優(yōu)勢(shì)之一是在項(xiàng)目的整個(gè)生命周期中包括開發(fā)階段已經(jīng)提供的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)。

另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是通過我們的支持15年以上的長(zhǎng)期項(xiàng)目長(zhǎng)期交貨保證和生命周期管理.

例如，我們?nèi)匀粡囊婚_始就提供SMD晶振，如GEYER KX-C系列，從1992年的一個(gè)項(xiàng)目開始就提供。

我們希望詳細(xì)了解您的需求，并與您一起完成開發(fā)過程。在GEYER Electronic，我們位于慕尼黑附近Planegg的設(shè)計(jì)和測(cè)試中心擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的高性能團(tuán)隊(duì)。

利用我們近60年的石英技術(shù)知識(shí)。

通過無源晶體和分立元件構(gòu)建自己的振蕩電路對(duì)于更大的數(shù)量或如果IC不使用內(nèi)部振蕩器。可以選擇Pierce或Colpitts振蕩器。此外，還可以創(chuàng)建振蕩器通過反相器電路的適當(dāng)反饋（圖2）。

大多數(shù)微控制器已經(jīng)包含了時(shí)鐘電路的基本組件。為了完成電路對(duì)于Pierce或Colpitts振蕩器類型，只需要一個(gè)晶體和其他外部無源元件。應(yīng)用微控制器的手冊(cè)描述了必要的細(xì)節(jié)。為了最大限度地減少任何寄生效應(yīng)，所有連接從微控制器到晶體電路應(yīng)保持盡可能短。
在40MHz及以上的頻率下，使用泛音晶體。這些泛音晶體需要一個(gè)特殊的過濾器電路，以便抑制基本模式。濾波電路由電容器和電感組成。如果過濾器省略，電路以其基本模式振蕩（例如：預(yù)期48MHz的第三泛音晶體，電路以16MHz振蕩）。帶有泛音晶體的振蕩器電路應(yīng)該非常謹(jǐn)慎地進(jìn)行尺寸和測(cè)試。
如果微控制器配備皮爾斯振蕩器配置，晶體將連接到兩個(gè)電容器，如如圖所示。3（C1和C2）。對(duì)于4MHz以上的頻率，不需要額外的串聯(lián)電阻器，因?yàn)檫m當(dāng)?shù)拇?lián)電阻器通常將被包括在微控制器的逆變器級(jí)內(nèi)。此外，高歐姆電阻器集成在微控制器內(nèi)，以調(diào)整直流工作電壓（圖3中為1MΩ）。CS1和CS2包括輸入以及微控制器的輸出電容以及由PCB上的導(dǎo)電路徑貢獻(xiàn)的其他電容。通過外部電容器C1使整個(gè)電路電容適合于晶體CL的指定負(fù)載電容和C2：

示例：提供CL=16pF。假設(shè)CS1＝CS2＝12pF，外部電容器可以被評(píng)估為C1＝15pF和C2＝27pF。應(yīng)考慮這些作為后續(xù)優(yōu)化的初始值。C1小于C2，以便提高電路的啟動(dòng)性能。
如果頻率與晶體的實(shí)際諧振頻率匹配，則晶體電路處于最佳狀態(tài)。實(shí)際晶體在其指定負(fù)載電容下的諧振頻率可以在其測(cè)試記錄中找到。
應(yīng)在沒有來自探頭的任何反饋的情況下測(cè)量頻率。這通常可以通過測(cè)量在微控制器的另一個(gè)端口處的頻率。如果石英晶振晶體被電容器過載，則頻率較小比要求的要大（否則會(huì)更大）。
如上所述，具有皮爾斯振蕩器配置的微控制器可能需要外部串聯(lián)電阻器對(duì)于低于4MHz的頻率。串聯(lián)電阻器RV將有助于抑制不必要的泛音，并調(diào)整內(nèi)部振蕩器到外部pi電路，該電路由C1、C2和晶體組成。串聯(lián)電阻器RV可評(píng)估為如下：RV與電容器C2串聯(lián)，因此起到低通濾波器的作用（圖2）。C2的值應(yīng)為假如通過選擇RV，截止頻率fT應(yīng)在基頻和第三泛音之間（方程式2和3）。格耶品牌SMD晶振如何構(gòu)建振蕩電路?

示例：提供晶體諧振頻率2MHz和C2=22pF。因此，fT=2 x 2MHz=4MHz，RV=1.8 kΩ

如果微控制器提供Colpitts振蕩器配置，則微控制器顯示如圖所示的電路。4.電容器C1和C2的選擇如等式（1）所述。

示例：提供CL=16pF。假設(shè)CS1＝CS2＝10pF，外部電容器可以被評(píng)估為C1＝C2＝22pF。如上所述，應(yīng)在沒有任何探針反饋的情況下測(cè)量頻率。
有時(shí)，微控制器的手冊(cè)只顯示了石英晶體諧振器的一個(gè)輸入。晶體和電容器接地，如圖所示。5.微控制器制造商的意圖是調(diào)整負(fù)載電容或確保晶體的直流絕緣（或兩者）。
一個(gè)可行的解決方案是選擇一個(gè)與指定負(fù)載大致相同的電容值晶體的電容（方程式4）。
C1 ≈ CL

示例：提供CL=16pF。用于優(yōu)化的合適的初始值是C1＝16pF。該值應(yīng)通過免費(fèi)反饋進(jìn)行檢查和校正頻率測(cè)量。
為了檢查晶體是否能夠可靠地開始振蕩，可以手動(dòng)將電阻器串聯(lián)焊接到晶體上。SMD電阻器最適合此測(cè)試。即使電阻值高出X倍，電路也應(yīng)振蕩大于晶體的最大指定諧振電阻。
晶體的最大指定諧振電阻可以在其數(shù)據(jù)表中找到。系數(shù)X應(yīng)為3到5在整個(gè)要求的溫度范圍內(nèi)。對(duì)于特殊應(yīng)用，更高的系數(shù)X是合適的。

圖。1:SMD晶體振蕩器，尺寸為7 x 5mm。這種振蕩器的頻率范圍為1MHz至160MHz，電源電壓為1.8 V/2.5 V/3.0伏/3.3伏和5伏（GEYER Electronic）
圖。2:Pierce再生振蕩電路反相器和基模晶體。RGK是一種用于調(diào)節(jié)直流操作的高歐姆電阻器電壓
RV是一個(gè)用于抑制泛音的串聯(lián)電阻器頻率。C1和C2用于調(diào)整電容負(fù)載到指定負(fù)載電容水晶。RV、晶體、C1和C2提供相移.加上（放大）的180°相移逆變器，振蕩的必要條件可以是
實(shí)現(xiàn)。

圖。3：微控制器的典型外部電路皮爾斯振蕩器配置。

圖。4：微控制器的典型外部電路Colpitt振蕩器配置。

圖。5：如果微控制器手冊(cè)僅顯示一個(gè)晶體的一個(gè)輸入。

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