削峰正弦波晶振,GTXO-83T,高利奇TCXO振蕩器,5032貼片晶振,GTXO-83T/JI-10.0MHz

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

削峰正弦波晶振,GTXO-83T,高利奇TCXO振蕩器,5032貼片晶振,GTXO-83T/JI-10.0MHz GTXO - 83T/JI - 10.0MHz 是高利奇推出的 5032 貼片式削峰正弦波 TCXO 振蕩器。它可輸出精準(zhǔn)的 10.0MHz 削峰正弦波頻率，借助溫度補(bǔ)償技術(shù)應(yīng)對(duì)溫度變化，保證頻率穩(wěn)定。削峰正弦波輸出減少了諧波干擾，信號(hào)更純凈。具有良好的抗干擾能力，能適應(yīng)復(fù)雜工作環(huán)境。廣泛應(yīng)用于通信、儀器儀表等對(duì)頻率穩(wěn)定性和信號(hào)質(zhì)量要求高的領(lǐng)域，是提升設(shè)備性能的理想選擇。

產(chǎn)品詳情

削峰正弦波晶振,GTXO-83T,高利奇TCXO振蕩器,5032貼片晶振,GTXO-83T/JI-10.0MHz

溫度補(bǔ)償晶振(TCXO)包括數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器和微機(jī)補(bǔ)償晶體振蕩器。器件內(nèi)部采用模擬補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)或數(shù)字補(bǔ)償方式、利用晶體負(fù)載電抗隨溫度的變化而補(bǔ)償晶體元件的頻率－溫度特性，以達(dá)到減少其頻率－溫度偏移的晶體振蕩器。

在對(duì)頻率穩(wěn)定性要求極高的電子設(shè)備領(lǐng)域，高利奇晶振的 GTXO - 83T/JI - 10.0MHz 削峰正弦波輸出晶振表現(xiàn)卓越。它采用 5032mm 貼片封裝，小巧的體積適合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的設(shè)計(jì)需求，能輕松嵌入各類緊湊的電路板中。
作為 TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器），其核心優(yōu)勢(shì)在于先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)。環(huán)境溫度的波動(dòng)會(huì)影響晶振頻率，但 GTXO - 83T 能實(shí)時(shí)感知溫度變化并迅速調(diào)整，確保輸出的 10.0MHz 削峰正弦波頻率高度穩(wěn)定。
這種削峰正弦波輸出，能有效減少諧波干擾，為電子設(shè)備提供更純凈、穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。它具備出色的抗干擾能力，在復(fù)雜的電磁環(huán)境中也能保持良好性能。無(wú)論是通信基站的信號(hào)處理，還是高精度儀器的計(jì)時(shí)，GTXO - 83T石英晶體振蕩器都能保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，提升整體性能。

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頻率范圍	9.5 ~ 45.0兆赫
尺寸	5.0 x 3.2 x 1.15 毫米
儲(chǔ)存溫度范圍	-40 至 +85°C
電源電壓穩(wěn)定性	±0.2 頁(yè)/分鐘DD 系列±5%
負(fù)載穩(wěn)定性	±0.2 頁(yè)/分鐘L±10%
老化	第一年最高 ±1.0ppm
電源電壓（VDD 系列)	+2.4V ~ +3.6V
電源電流（max）	1.5mA （9.5 ~ 20.0MHz）
	2.0mA （20.0 ~ 32.0MHz）
	2.5mA （32.0 ~ 45.0MHz）
輸出波形	削波正弦，0.8V p-p，+DC 偏移
試驗(yàn)載荷（ZL)	10kΩ // 10pF
啟動(dòng)時(shí)間	最大 3ms
相位噪聲（典型值 @ 20.0MHz）	-54dBc/Hz @ 1Hz
	-86dBc/Hz @ 10Hz
	-135dBc/Hz @ 1kHz
	-151dBc/Hz @ 100kHz
頻率容差 @ 25°C	最大 ±2.0ppm，回流焊后 60 分鐘

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所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍。